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多層芯片實現(xiàn)新突破

國際金屬加工網(wǎng) 2024年12月20日

近日挠说,美國麻省理工學院團隊在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創(chuàng)新的電子堆疊技術(shù)刽肠。該技術(shù)能顯著增加芯片上的晶體管數(shù)量,從而推動人工智能(AI)硬件發(fā)展更加高效争涌。通過這種新方法粉楚,團隊成功制造出了多層芯片,其中高質(zhì)量半導體材料層交替生長亮垫,直接疊加在一起模软。

隨著計算機芯片表面容納晶體管數(shù)量接近物理極限,業(yè)界正在探索垂直擴展——即通過堆疊晶體管和半導體元件到多個層次上來增加其數(shù)量饮潦,而非繼續(xù)縮小單個晶體管尺寸燃异。這一策略被形象地比喻為“從建造平房轉(zhuǎn)向構(gòu)建高樓大廈”,旨在處理更多數(shù)據(jù)继蜡,實現(xiàn)比現(xiàn)有電子產(chǎn)品更加復雜的功能回俐。

然而,在實現(xiàn)這一目標的過程中遇到一個關(guān)鍵障礙:傳統(tǒng)上稀并,將硅片作為半導體元件生長的主要支撐平臺仅颇,體積龐大且每層都需要包含厚厚的硅“地板”,這不僅限制了設(shè)計靈活性梗力,還降低了不同功能層之間的通信效率锭鸣。

為了解決這個問題,工程師們開發(fā)了一種新的多層芯片設(shè)計方案葵张,摒棄了對硅基板的依賴,并確保操作溫度保持在較低水平以保護底層電路汗绰。這種方法允許高性能晶體管哀擒、內(nèi)存以及邏輯元件可以在任何隨機晶體表面上構(gòu)建,而不再局限于傳統(tǒng)的硅基底琴坏。沒有了厚重的硅“地板”讳董,各半導體層之間可以更直接地接觸,進而改善層間通信質(zhì)量與速度束澄,提升計算性能豺章。

這項技術(shù)有望用于制造筆記本電腦、可穿戴設(shè)備中的AI硬件妇张,其速度和功能性將媲美當前的超級計算機搅厕,并具備與實體數(shù)據(jù)中心相匹配的數(shù)據(jù)存儲能力煞秤。這項突破為半導體行業(yè)帶來了巨大潛力,使芯片能夠超越傳統(tǒng)限制進行堆疊吉捶,極大提升了人工智能夺鲜、邏輯運算及內(nèi)存應用的計算能力。

這項技術(shù)的出現(xiàn)可以說是半導體行業(yè)的一個重要里程碑呐舔。其不僅突破了現(xiàn)有材料和技術(shù)的限制币励,還預示著未來AI硬件可能實現(xiàn)的巨大飛躍——你手中的筆記本電腦速度和功能甚至可與當今超算相匹敵。這不僅是對消費電子產(chǎn)品的升級珊拼,更是對整個信息處理范式的革新食呻,有望開啟一個計算資源更加普及且效能更高的時代。

(全球半導體觀察)

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